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碳化硅器件的優(yōu)越性
碳化硅是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，世界各國(guó)對(duì)SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國(guó)、歐洲、日本等不僅從國(guó)家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃，而且一些國(guó)際電子業(yè)劇透也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。
與普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：
高壓特性：
1、 碳化硅器件是同等硅器件耐壓的10倍；
2、 碳化硅肖特基管耐壓可到2400V；
3、 碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管耐壓可達(dá)數(shù)萬(wàn)伏，且通態(tài)電阻并不很大。
高溫特性：
在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性，一直被視為“理想器件”而備受期待。
相對(duì)于以往的Si材質(zhì)器件，SiC功率器件在性能與成本間的平衡以及其對(duì)高工藝的需求，將成為SiC功率器件能否真正普及的關(guān)鍵。
目前，低功耗的碳化硅器件已經(jīng)從實(shí)驗(yàn)室進(jìn)入實(shí)用器件生產(chǎn)階段。目前碳化硅圓片的價(jià)格比較高，其缺陷也多，其市場(chǎng)應(yīng)用還不是很成熟。
